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太陽誘電推出0201封裝1μF積層陶瓷電容器
太陽誘電推出了靜電容量為1μF的小型0201尺寸（0.6×0.3×0.3mm）尺寸積層陶瓷電容器“AMK063BJ105MP”。與該公司的原產(chǎn)品相比，體積縮小了約78％，高度降低了40％。在該尺寸產(chǎn)品中，靜電容量達(dá)到了業(yè)界最高水平。
2009-10-14
電容 太陽誘電 0201
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諾貝爾獎(jiǎng)當(dāng)之無愧，CCD傳感器已無處不在
“影像傳感器技術(shù)對(duì)世界和整個(gè)社會(huì)帶來了巨大且深遠(yuǎn)的影響，”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說?！坝跋駛鞲衅鞯膽?yīng)用范圍甚廣，如數(shù)字相機(jī)、手機(jī)，已經(jīng)成為現(xiàn)代文化密不可分的一部份，也影響了社交媒體和視訊共享革命的發(fā)展?！?/p>
2009-10-14
傳感器 CCD 諾貝爾獎(jiǎng)
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即將普及的碳化硅器件
隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。
2009-10-14
豐田 SiC 碳化硅 MOSFET
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國內(nèi)節(jié)能燈市場前景無限
歐盟的消費(fèi)者恐怕買不到傳統(tǒng)的白熾燈了。因?yàn)閺?月1日起，歐盟開始禁止商家銷售100瓦的白熾燈。此外，中國國家發(fā)展和改革委員會(huì)也與國際組織合作開展了“中國逐步淘汰白熾燈、加快推廣節(jié)能燈”項(xiàng)目。由此看來，節(jié)能燈有望代替白熾燈，成為照明市場的主流。
2009-10-13
節(jié)能燈 市場前景 白熾燈
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TNPU e3系列：Vishay 推出新型高精度薄膜扁平片式電阻
賓夕法尼亞、MALVERN — 2009年 10 月 10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新型TNPU e3系列高精度薄膜扁平片式電阻，外殼尺寸分別為0603、0805和1206
2009-10-13
Vishay 扁平片式電阻 高精度
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ESP200:西門子推出過載繼電器
西門子能源與自動(dòng)化公司宣布，該公司為工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用推出自供電ESP200過載繼電器，從而取代先前推出的ESP100過載繼電器。基于西門子公司在數(shù)以百萬的電機(jī)的過載保護(hù)獲得的成功的NEMA啟動(dòng)器經(jīng)驗(yàn)，這種新型過載繼電生產(chǎn)線在設(shè)計(jì)上將可以在可靠的在最需要應(yīng)用環(huán)境下使用。
2009-10-13
西門子 繼電器
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FSA800：飛兆半導(dǎo)體公司推出業(yè)界最小USB附件開關(guān)產(chǎn)品
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為手機(jī)、PDA和MP3播放器設(shè)計(jì)人員提供全新USB附件開關(guān)產(chǎn)品FSA800。FSA800是業(yè)界最小的器件，將所有主要的多媒體功能集成進(jìn)薄型UMLP封裝(1.8mm x 2.6mm x 0.55mm)中。它具有內(nèi)置充電檢測功能、28V的過壓容差、內(nèi)置終止電阻器，以及負(fù)擺幅功能。通過在緊湊型...
2009-10-12
飛兆 FSA800 最小 開關(guān)產(chǎn)品
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iSuppli中國半導(dǎo)體市場今年下滑6.8% 2010年將大幅成長17.8%
2009 年中國半導(dǎo)體市場為682億美元，較去年下滑6.8%。相對(duì)于全球半導(dǎo)體市場的萎縮，中國市場的下滑要小的多。受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響，全球電子產(chǎn)品的產(chǎn)值為1.4萬億美元較2008年下降了9%。與此同時(shí)，全球半導(dǎo)體市場2009年將下降16.2%到2295億美元。但是在出口增長和內(nèi)需拉到的雙重作用下，中國半導(dǎo)體市場在2...
2009-10-12
半導(dǎo)體 iSuppli
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FDFME3N311ZT：飛兆半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)高效率的升壓開關(guān)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT，有助提高手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)的升壓轉(zhuǎn)換電路效率。該器件結(jié)合了30V集成式N溝道PowerTrench? MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設(shè)計(jì)的效率。
2009-10-12
FDFME3N311ZT MOSFET 飛兆半導(dǎo)體
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