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探討正電壓浪涌的對策和其效果
在上一篇文章中，給出了一個針對柵極-源極電壓中產生的浪涌的抑制電路示例。本文將會通過示例來探討正電壓浪涌的對策和其效果。
2022-02-11
正電壓浪涌 對策
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理想開關自身會帶來挑戰
隨著我們的產品接近邊沿速率超快的理想半導體開關，電壓過沖和振鈴開始成為問題。適用于SiC FET的簡單RC緩沖電路可以解決這些問題，并帶來更高的效率增益。
2022-02-10
理想開關自身會帶來挑戰
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如何快速了解預采購的電源器件性能？
自第二次工業革命之后，人類社會的發展和電能深度綁定，電氣/電子設備被廣泛應用于工業、醫療、能源、交通、民生等各個領域。隨著用電設備從單一回路逐漸演變成為系統，將電能合理、有效地分配給系統中的每個器件尤為重要。一個優秀的電源管理系統不僅能夠保障系統的用電安全，更是設備做到高效節能...
2022-02-10
電源器件 性能
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如何快速有效地實施靈活的EV充電系統？
電動汽車的發展趨勢依賴于公共服務站電動汽車 (EV) 充電基礎設施的預期可用性，并且可以通過在用戶的住家和工作場所安裝合適的充電系統來加速發展。盡管核心設計要求基本一致，但每一種系統都有專門的要求，從通信平臺到合規性要求等因素的地區差異又讓這種情況更加復雜。
2022-02-09
電動汽車 EV充電系統
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帶有空片檢測功能的STM32需注意的GPIO設計
從STM32F0部分型號開始，比如STM32F04x和STM32F09x，STM32越來越多的型號具有了空片檢測（Empty Check）功能。以前，STM32的啟動由BOOT0和BOOT1來決定，在引入了空片檢測功能之后，則在BOOT0=0的情況下，還需要分兩種情況：
2022-02-09
空片檢測 STM32 GPIO
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SiC功率器件使用過程中的常見問題集（上）
由于SiC 材料具有更高的擊穿場強、更好的熱穩定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現。相較于傳統的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化。當前碳化硅功率器件主...
2022-02-09
SiC功率器件 派恩杰
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針對SiC串擾抑制方法的測試報告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因其具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關速度加快，橋式電路受寄生參數影響加劇，串擾現象更加嚴重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負向安全電壓較小，串擾問...
2022-02-08
SiCMOSFET 串擾抑制
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開關電源設計中的頻率選擇（下）
本文是深入研究開關頻率設計的系列文章之下篇。上篇回顧了如何計算開關頻率的關鍵指標，以及更高頻率設計的難點所在。本文將把這些開關頻率的概念應用到實際場景當中。
2022-02-07
開關電源 設計 頻率
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識別并消除次諧波振蕩
DC/DC的不穩定是由多種因素造成的，例如補償參數不當或布局不足。本文將主要討論次諧波振蕩，這是一種當電流模式開關穩壓器具有連續電感電流且占空比超過 50% 時可能產生的不穩定形式，而這種振蕩會導致不穩定的電源。
2022-02-07
消除 次諧波振蕩 開關穩壓器
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