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智能GaN降壓控制器設計——第2部分：配置和優化
在高效能電源設計中，死區時間的精準控制是平衡效率與可靠性的關鍵。傳統方案依賴固定的控制器延遲或繁瑣的外部調整，不僅調試耗時，更難以適配不同GaN FET的動態特性，潛藏著過驅損壞的風險。本文將深入智能GaN降壓控制器設計的核心環節，聚焦于其先進的配置與優化策略。通過闡述如何精確測量并協...
2026-01-28
智能GaN降壓控制器 死區時間 GaN FET 驅動 電源設計 氮化鎵
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線性穩壓器的電壓輸入至輸出控制——第一部分：快速入門和優勢
在復雜的電子系統設計中，電源管理單元的效能與可靠性直接決定了整體性能的邊界。其中，實現從輸入電壓到輸出電壓的精準、高效與穩定控制，是工程師面臨的核心挑戰之一。本文將聚焦于一種先進的解決方案——電壓輸入至輸出控制（VIOC）系統。該系統巧妙融合了具備VIOC特性的低壓差線性穩壓器（LDO）與...
2026-01-28
線性穩壓器 電壓輸入 輸出控制 VIOC LDO 穩壓器 電源管理系統
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智能GaN降壓控制器設計——第1部分：考慮因素和測量方法
同步轉換器的工作原理是交替切換控制開關和同步開關器件（通常是FET）的通斷狀態。時序的微小偏差，在納秒尺度上便會引發兩難困境：若兩個開關管導通切換的間隙（死區時間）過長，系統效率會因GaN器件特有的高反向導通壓損而大幅下降；若此間隙過短，則可能發生致命的“直通”現象，導致電流直沖、器...
2026-01-28
智能GaN降壓控制器 自適應死區時間控制 GaN FET驅動 同步降壓轉換器 AI服務器供電
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從IP到Chiplet：奎芯ONFI接口技術的創新與突破
ONFI作為閃存控制器與NAND顆粒的關鍵接口協議，其技術水平直接決定存儲系統競爭力。奎芯科技深耕ONFI IP領域，以領先技術規格、全場景工藝覆蓋及Chiplet架構戰略布局構建核心優勢，下文將圍繞其價值、技術亮點、生態能力及戰略規劃，展現奎芯在高速存儲接口領域的硬核實力，為多領域應用提供核心支撐。
2026-01-27
奎芯科技 存儲接口 存算一體 SSD SoC
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算力與實時性雙突破！兆易創新發布GD32H7系列MCU，覆蓋更廣泛高性能應用
在工業自動化、數字能源及高端智能設備對實時控制與強大算力需求日益增長的背景下，國內MCU領軍企業兆易創新（GigaDevice）宣布推出其新一代高性能微控制器產品線——GD32H7系列。該系列基于Arm? Cortex?-M7內核，主頻提升至750MHz，并創新性地配備了640KB可與CPU同頻運行的緊耦合內存，旨在突破傳統M...
2026-01-23
兆易創新 GD32H7 MCU 微控制器 便攜電子 智能家居
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一文讀懂基于ADI方案的2型充電樁IC-CPD開發指南
在設計與開發符合國際規范的2型交流充電樁（EVSE）時，工程師不僅需要深入理解IEC 61851-1與IEC 62752等核心標準，更面臨著如何高效實現車輛連接、安全控制與可靠通信的工程挑戰。本文將以ADI（亞德諾半導體）提供的最新參考設計為實踐藍圖，系統闡述充電樁內部線纜控制與保護器件（IC-CPD）的軟硬...
2026-01-23
IC-CPD設計 線纜內置控制 保護器件 軟硬件 充電狀態 電動汽車供電設備
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特瑞仕半導體株式會社發布耐浪涌電流強的肖特基勢壘二極管
特瑞仕半導體株式會社（東京都東京都江東區，代表董事：木村岳史，以下簡稱特瑞仕）開發了具備優異耐浪涌電流與浪涌沖擊能力的 650V SiC 肖特基勢壘二極管 “XBSC41 / XBSC42 / XBSC43 系列”。
2026-01-22
特瑞仕半導體株式會社
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契合新國標：充電樁直流漏電防護的 B 型技術應用
2025年我國新能源車滲透率首次突破50%，11月更是攀升至59.5%，標志著新能源車已成為市場主流。伴隨這一趨勢，補能系統持續完善，全國高速公路服務區充電樁覆蓋率超98%，截至2025年11月充電基礎設施（槍）總數達1932.2萬個。但充電樁安全問題備受業界關注，傳統漏電保護器無法檢測直流漏電，B型漏電...
2026-01-21
B 型漏電檢測技術 零序互感器 新能源車 充電樁
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灣區“芯”力量齊聚珠海！大灣區化合物半導體生態應用大會暨半導體產業CEO大會召開
1月19日，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦的“大灣區化合物半導體生態應用大會暨半導體產業CEO大會”在珠海高新區香山會議中心舉行。
2026-01-20
大灣區
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