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高性能碳化硅隔離柵極驅動器如何選型，一文告訴您
電隔離式 (GI) 柵極驅動器在優化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色，特別是在應對電氣化系統日益增長的需求時。隨著全球對電力在工業、交通和消費產品中依賴性的加深，SiC技術憑借其提升效率和縮小系統體積的能力脫穎而出。本文為第二篇，將分享電隔離柵極驅動器的隔離能力評估 ，并...
2024-10-30
碳化硅 隔離柵極驅動器
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X-CUBE-STL：支持更多STM32， 揭開功能安全的神秘面紗
X-CUBE-STL 目前支持 STM32MP1、STM32U5、STM32L5、STM32H5和 STM32WL。實際上，這個最大的通用微控制器產品家族還在不斷擴大，將會有更多的產品支持SIL2和SIL3系統。客戶的開發團隊可以在ST最新的產品上開發滿足 IEC 61508、ISO 13849 和 IEC 61800 等要求 的應用。此外，在ST網站的功能安全網頁...
2024-10-29
X-CUBE-STL STM32 微控制器
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揭秘電動汽車中直流鏈路電容器的奧秘（上）
直流鏈路電容器在功率轉換器中扮演著中間緩沖器的角色，連接著輸入源與輸出負載，適應不同的瞬時功率、電壓和頻率。在電動汽車（EV）領域，它們不僅有效抵消逆變器、電機控制器及電池系統中電感的影響，還充當濾波器，為電動汽車子系統提供保護，抵御電壓尖峰、浪涌及電磁干擾（EMI）的侵害。
2024-10-29
電動汽車 直流鏈路 電容器
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如何在設計中輕松搭載GaN器件？答案內詳~~
如今，圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
2024-10-27
GaN器件
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利用自動化技術賦能中國基礎設施現代化
許多中國基礎設施和運營（I&O）領導者在實施基礎設施現代化項目時，希望利用自動化技術來簡化和加快IT基礎設施資源的配置、管理和擴展。但是，中國企業的技術團隊往往各自為政，而技術專家又傾向于將自動化僅僅視為現有技術的延伸，導致自動化優先任務之間的相互競爭，各團隊間的協作受到限制，削弱...
2024-10-27
自動化技術 基礎設施 Gartner
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電源中的分壓器
在電源設計中，可以手動設置所需的輸出電壓。大多數集成電源電路以及開關和線性穩壓器 IC 都是通過分壓器來實現這一點的。兩個電阻值的比率必須合適才能設置所需的輸出電壓。圖 1 顯示了一個分壓器。
2024-10-27
電源 分壓器
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了解交流電壓的產生
交流電 (AC) 不斷反轉方向，交替流向一個方向，然后流向另一個方向。交流電壓也可以類似地描述。通常，交流電壓和電流是正弦曲線，峰值、平均值和有效值之間存在確定的關系。
2024-10-26
交流電壓
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克服碳化硅制造挑戰，助力未來電力電子應用
隨著行業不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價帶頂部和導帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
碳化硅 電力電子應用
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【泰克先進半導體實驗室】 遠山半導體發布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發揮，主要在消費電子領域內競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續推出，我們看到了它們在更廣泛市場應用中的潛力。
2024-10-20
泰克 遠山半導體 氮化鎵 功率器件
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