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電磁兼容與 EMI抑制器件技術(shù)
開關(guān)電源三高一低的發(fā)展趨勢(shì)，使EMI濾波器面臨著持續(xù)改進(jìn)壓力！本文介紹EMI濾波器的常見問題、發(fā)展趨勢(shì)及改善EMI濾波器性能的辦法；從濾波器L/C器件性能影響因素、L磁飽和/頻率的影響、 LC溫度的影響、濾波器L/C器件雜散耦合的影響、寄生參數(shù)/耦合的抑制五大方面分析無源EMI濾波器高頻性能的改善方...
2011-12-23
EMI濾波器 EMI EMI濾波器小型化設(shè)計(jì)
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電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)
本文說明了在電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行中可能遇到的幾個(gè)問題。
2011-12-23
電壓暫降 短時(shí)中斷 電壓變化抗擾度試驗(yàn)
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浪涌抗擾度試驗(yàn)
本文對(duì)浪涌抗擾度試驗(yàn)中新老標(biāo)準(zhǔn)的差異化進(jìn)行解讀，內(nèi)容包括電源線耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)EUT端口的電壓波形和電流波形的要求、用在互連線試驗(yàn)上的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、針對(duì)高速通信線路的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、新版標(biāo)準(zhǔn)中增加了對(duì)金屬接地參考平板的要求，并對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行中可能遇到安裝浪涌測(cè)試設(shè)備后實(shí)驗(yàn)室的跳閘問題...
2011-12-23
浪涌 浪涌抗擾度 浪涌抗擾度試驗(yàn)
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脈沖群抗擾度試驗(yàn)
脈沖群抗擾度試驗(yàn)包括以下幾方面的內(nèi)容：脈沖群發(fā)生器的特性參數(shù)、耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、實(shí)驗(yàn)室型式試驗(yàn)的配置、試驗(yàn)方法。
2011-12-22
脈沖群 脈沖群抗擾度 脈沖群抗擾度試驗(yàn)
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射頻輻射電磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)
在新版標(biāo)準(zhǔn)里對(duì)試驗(yàn)的嚴(yán)酷等級(jí)分為一般試驗(yàn)等級(jí)和針對(duì)數(shù)字無線電話的射頻輻射而設(shè)定的試驗(yàn)等級(jí)。
2011-12-22
射頻輻射 射頻輻射電磁場(chǎng)抗擾度 抗干擾度標(biāo)準(zhǔn)
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靜電放電抗擾度試驗(yàn)
關(guān)于不接地設(shè)備的試驗(yàn)配置，新版標(biāo)準(zhǔn)與舊版標(biāo)準(zhǔn)的配置是相同的。關(guān)鍵是在單次放電時(shí)（無論是空氣的，還是接觸的），試品上的電荷應(yīng)當(dāng)在每次施加靜電放電脈沖之前先行釋放（釋放掉在需要施加靜電放電的金屬點(diǎn)或金屬部位上的電荷）。
2011-12-22
靜電放電抗擾度 靜電放電 靜電
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電磁干擾的屏蔽方法
EMC問題常常是制約中國(guó)電子產(chǎn)品出口的一個(gè)原因，本文主要論述EMI的來源及一些非常具體的抑制方法，例如設(shè)計(jì)屏蔽罩。
2011-12-20
電磁干擾 EMI EMC 電磁兼容 屏蔽
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手機(jī)PCB設(shè)計(jì)時(shí)RF布局技巧
有許多重要的RF設(shè)計(jì)課題值得討論，包括阻抗和阻抗匹配、絕緣層材料和層疊板以及波長(zhǎng)和駐波，這些對(duì)手機(jī)的EMC、EMI影響都很大，下面就對(duì)手機(jī)PCB板的在設(shè)計(jì)RF布局時(shí)必須滿足的條件加以總結(jié)。
2011-12-16
手機(jī) PCB RF 噪聲 射頻
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我國(guó)被動(dòng)元件情況堪憂
中電元協(xié)信息中心對(duì)電子元件行業(yè)幾十家重點(diǎn)企業(yè)1-8月份的經(jīng)營(yíng)情況進(jìn)行了調(diào)查，結(jié)果表明我國(guó)電子元件行業(yè)的盈利情況依然堪憂。溫學(xué)禮指出，從調(diào)查結(jié)果看，2011年1-8月累計(jì)，電子元件重點(diǎn)骨干企業(yè)銷售收入同比上漲20.17%。據(jù)估算，今年前三季度，全行業(yè)銷售收入總額將超過1萬(wàn)億元。
2011-12-16
被動(dòng)元件 電磁兼容
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