- 組合封裝的高邊和低邊MOSFET的空間和成本節(jié)省
- 同時(shí)保持低導(dǎo)通電阻和最大電流
日前， Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為幫助客戶了解在一個(gè)小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本，該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個(gè)流媒體視頻，展示SiZ700DT PowerPAIR®雙芯片不對(duì)稱功率MOSFET解決方案。
傳統(tǒng)上，設(shè)計(jì)者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機(jī)，以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換中實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用中所需的低導(dǎo)通電阻和高電流，就不得不使用兩片分立MOSFET。
新視頻展示了Vishay的SiZ700DT PowerPAIR方案如何通過將一個(gè)低邊和高邊MOSFET組合到小尺寸6mmx3.7mm的器件中，減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中電源架構(gòu)所需的空間，增加轉(zhuǎn)換器的功能，開發(fā)更小的終端產(chǎn)品，同時(shí)保持低導(dǎo)通電阻和最大電流。
SiZ700DT的低邊MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻為5.8mΩ，在+70℃下的最大電流為13.9A，高邊MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻為8.6mΩ，在+70℃下的最大電流為10.5A。這些指標(biāo)使設(shè)計(jì)者能夠使用一個(gè)器件完成設(shè)計(jì)，節(jié)約方案的成本和空間，包括在兩個(gè)分立MOSFET之間的間隙和標(biāo)注面積。
兩個(gè)MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部進(jìn)行連接，使得布局變得更加簡潔，同時(shí)減少PCB印制線的寄生電感，提高效率。此外，SiZ700DT的輸入引腳排列在一側(cè)，輸出引腳排列在另一側(cè)，可進(jìn)一步簡化布局。
欲觀看此視頻，請(qǐng)?jiān)L問：
http://www.vishay.com/landingpage/videos/demo_powerpair.html。
