- 容易提高開關頻率
- 開關損失最大可削減50％
- 削減電源裝置整體體積和重量
- 太陽能發電用逆變器等
美國科銳（Cree）宣布，已經投產了采用SiC（碳化硅）材料的+1200V耐壓功率MOSFET“CMF20120D”。科銳是繼2010年12月的羅姆之后第二家宣布投產SiC功率MOSFET的企業。不過，科銳在發布資料中稱自己“是業界第一個投產的”。目標用途包括，太陽能發電用逆變器裝置、高電壓輸出DC-DC轉換器裝置以及馬達驅動用逆變器裝置等。
漏極電流方面，連續通電時最大為33A（25℃工作時），脈沖通電時最大為78A（25℃工作時）。導通電阻在柵源間電壓為+20V、周圍溫度為25℃時只有80mΩ（標準值）。另外，即使周圍溫度上升至+125℃，導通電阻也只有95mΩ（標準值），溫度上升對導通電阻增加的影響非常小。總柵極電荷僅90.8nC（標準值）。因此，容易提高開關頻率。封裝采用TO-247-3。
科銳表示，如果使用SiC功率MOSFET，與使用Si功率MOSFET的電源裝置相比，開關損失最大可削減50％。另外，與采用Si材料IGBT的電源裝置相比，可將裝置整體的轉換效率最大改善2％，而且能將開關頻率提高至2～3。如果提高開關頻率，能夠縮小外置部件，因此可削減電源裝置整體的體積和重量。
德國研究機構弗勞恩霍夫太陽能系統研究所（Fraunhofer ISE）在試制采用投產的SiC功率MOSFET的7kW輸出太陽能發電用逆變器裝置時，獲得了最高97.81％的轉換效率。采用+1200V耐壓IGBT構成相同輸出的逆變器裝置時，最大轉換效率為95.89％。通過采用SiC功率MOSFET，將轉換效率提高了1.92個百分點。
