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具有集成電容器的降壓穩壓器如何幫助降低EMI和節省布板空間
在實現高效緊湊設計的同時遵守國際無線電干擾特別委員會 (CISPR) 等組織提出的嚴格電磁干擾 (EMI) 要求是一項挑戰。因此，元件的選擇成為設計過程的關鍵。與大多數設計決策一樣，在不同元件之間進行選擇幾乎總是歸結為基于關鍵設計目標的權衡評估。降壓穩壓器以高效率和良好的熱性能著稱，但通常不...
2022-10-18
電容器 降壓穩壓器 EMI
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可穿戴設備中的傳感器：尺寸越來越“小”，左右越來越“大”！
市場上的可穿戴設備五花八門，歸結起來主要分為兩類：醫用可穿戴設備、健身穿戴設備。其中，醫用可穿戴設備是直接支持醫生監測和治療患者的設備，所有這些設備在上市前必須經過醫療主管部門的批準。對于健身穿戴設備而言，其主要應用也可以說是用于醫療保健，只不過它們收集的數據大多用于運動健康...
2022-10-17
可穿戴設備 傳感器 貿澤電子
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MOS管的Miller 效應
本文對于 MOS 管工作在開關狀態下的 Miller 效應的原因與現象進行了分析。巧妙的應用 Miller 效應可以實現電源的緩啟動。
2022-10-12
MOS管 米勒效應
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如何應對不間斷電源(UPS)設計挑戰
電池供電的不間斷電源(UPS)在保護數據中心、醫療設施、工廠、電信樞紐甚至家庭中的敏感設備免受短期電網尖峰和停電影響方面非常重要。在停電時間較長的情況下，它們能夠提供必要的短期電力，以實現有準備的斷電，防止數據丟失。
2022-09-29
不間斷電源 電路設計
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電源設計器件布局和布線要點
在電源設計中，精心的布局和布線對于能否實現出色設計至關重要，要為尺寸、精度、效率留出足夠空間，以避免在生產中出現問題。我們可以利用多年的測試經驗，以及布局工程師具備的專業知識，最終完成電路板生產。
2022-09-26
電源設計 布局
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什么是dV/dt失效
如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的瞬態充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發射極之間產生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導通，從而越容易發生失效...
2022-09-22
dV/dt失效 MOSFET
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【無電感】小尺寸 AMOLED 電源芯片
SGM38045 是圣邦微電子重點推出的一顆專門為智能手環、智能手表等小尺寸 AMOLED 顯示屏提供 AVDD、ELVDD、ELVSS 的無電感電源管理芯片。
2022-09-21
AMOLED 電源芯片
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MEMS麥克風已成消費市場的主流產品選擇
麥克風已經是眾多電子產品中內置的標準器件，從可穿戴設備到家庭助理，越來越多的設備被要求“聽到”它們的環境，并隨之做出相對的反應。本文將全面概述麥克風類型和基本原理，以及CUI Devices微機電系統（MEMS）麥克風的產品特性。
2022-08-29
MEMS麥克風 消費市場
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在開關模式電源中，當脈沖被忽略時...
即使是具有固定開關頻率的開關電源，也并非總是顯示連續的脈沖。在某些情況下，由于各種原因，脈沖會被忽略。在考慮輸出紋波電壓和EMI效應時，這一點非常重要。
2022-08-29
開關電源 脈沖 穩壓器
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