- 占位面積僅1mm x 1mm
- 低開關損耗
- 極低的輸入電容 (典型值45pF)
- 總體柵極電荷(1nC)
- 升壓轉換器
隨著手機市場的持續發展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設計人員面臨著在總體設計中增加功能性，但同時需要減小外形尺寸和元件數目的挑戰。為了應對客戶需求和發展趨勢，飛兆半導體開發出結合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT，占位面積僅為1mm x 1mm。
FDZ3N513ZT是升壓轉換器中的主要元件，用以驅動串聯白光LED，為智能電話的顯示屏(以及按鍵，如果有鍵盤的話)提供照明。
該解決方案對各種動態特性作出仔細精確的優化，實現很低的開關損耗，從而使手機應用擁有相當高的轉換效率和更長的電池壽命。
FDZ3N513ZT結合了一個30V 集成式 N溝道MOSFET 和一個肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值45pF) 和總體柵極電荷(1nc)，以提高升壓轉換器設計的效率。
FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封裝，相比采用1.6mm x 1.6mm封裝的器件，可節省60%的板上占位空間。
飛兆半導體是移動技術領域的領導廠商，擁有大量可針對特定要求而定制的模擬與功率IP產品組合。FDZ3N513ZT 是飛兆半導體全面的先進MOSFET系列的一部分，能夠滿足業界在充電、負載開關、DC-DC和升壓應用方面對緊湊、薄型的高性能MOSFET的需求。
