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智能邊緣設備的無界電源管理革命
在物聯網驅動的智能家居生態中，邊緣設備正突破傳統布線限制向"無線化"演進。作為感知層核心的傳感器、執行器及便攜交互終端，普遍采用電池供電方案以適應分布式部署需求。這類設備面臨獨特的電源管理挑戰：微型化封裝限制儲能容量、間歇性工作模式要求超低功耗待機、環境適應性則需支持寬溫域穩定...
2025-04-11
智能邊緣設備 電源管理
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學子專區論壇 - ADALM2000實驗：Hartley振蕩器
振蕩器有多種形式。本次實驗活動將研究Hartley配置，該配置使用帶抽頭的電感分壓器來提供反饋路徑。
2025-04-11
ADALM2000 Hartley振蕩器
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貿澤電子發布工業4.0線上資源預測性維護解決方案
全球業界知名電子元器件代理商貿澤電子（Mouser Electronics）今日正式推出全新工業4.0線上資源預測性維護解決方案，標志著工業設備運維正式邁入AI驅動時代。該平臺深度融合邊緣計算與機器學習技術，為制造業數字化轉型提供端到端技術賦能方案。新網站探討了預測性維護蘊藏的機遇和優勢，為讀者的設...
2025-04-11
貿澤電子 工業4.0 線上資源
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晶閘管選型與應用實戰指南：多維參數平衡與場景化設計深度解析
在電力電子領域，晶閘管猶如一把掌控電能流向的智能鑰匙，憑借其獨特的單向導通特性和強大的功率處理能力，在工業控制、能源轉換等領域持續發揮著重要作用。隨著電力系統復雜度的提升，如何科學選型并充分發揮其性能，已成為工程師必須掌握的核心技能。
2025-04-08
晶閘管 電力電子
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二次整流電路設計難點解析
在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉換器(ACFC)突破50%占空比限制之際，一個被長期忽視的設計陷阱正在浮現——最小占空比(Dmin)的精細控制已成為決定系統可靠性的生死線。實測數據顯示，當Dmin低于15%時，ACFC的開關損耗會陡增300%，電磁干擾(EMI)惡化達18dBμV。
2025-04-08
二次整流電路
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碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結構詳解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現出顯著技術優勢。其官方發布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統闡述共源共柵器...
2025-04-08
碳化硅 共源共柵 安森美
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賦能AI與能源及數字化轉型，TDK解決方案亮相慕尼黑上海電子展
TDK株式會社4月7日宣布，將于2025年4月15日至17日慕尼黑上海電子展（展位號N1.210），圍繞「為可持續的未來加速轉型」的核心理念，集中展示人工智能技術應用、綠色能源與數字化轉型的前沿創新成果，覆蓋電子應用全領域的創新技術和產品解決方案，推動各行業向更智能、更高效、更低碳的未來加速轉型。
2025-04-08
AI 能源 數字化轉型 TDK
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光與波的博弈：紅外vs雷達人體感應器技術原理與場景適配方案全解析
人體感應雷達模組的工作原理是基于多普勒效應和目標反射原理，通過發射毫米波信號并接收反射信號來檢測人體的存在、運動狀態和位置信息。這些信息可以被用于觸發智能設備的啟動與停止，實現智能化的生活場景，常應用于人體存在感知、智能家居、智能家電、智慧酒店、智能辦公、節能、節電控制器等領域。
2025-04-07
紅外人體感應器 雷達人體感應器
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第18講：SiC MOSFET的動態特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，并仔細設計控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
SiC MOSFET 閾值電壓
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