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中國3G產業現狀和發展分析
預測三大運營商三年3G總投資額為3000億元，2009年底，中國通信業將全面進入3G時代。在技術上將向高速率化、寬帶化、IP化方向發展；網絡不斷向后3G演進；3G數據業務在中國的未來發展前景明確；2G和3G網絡將長期共存；預計5年內將有一半的移動用戶成為3G用戶。
2009-01-29
3G 中國電信 中國移動 中國聯通
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MAX3678：Maxim具有智能動態切換功能的頻率合成器
Maxim推出具有9路LVPECL時鐘輸出和智能動態切換功能的低抖動頻率合成器MAX3678。該器件從66.6MHz的低參考時鐘輸入產生高達333MHz的時鐘輸出。是高端服務器存儲和CPU時鐘發生器等高速同步應用的理想選擇。
2009-01-24
LVPECL MAX3678 超低抖動 VCO PLL 頻率合成器
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可降低多頻手機功耗的射頻-微機電系統
手機多頻和多功能的發展趨勢需要新型手機集成更多的頻帶和操作模式，同時最大程度地降低電能消耗。然而，手機天線失配將帶來額外的功耗，此時通過可調匹配網絡是射頻前端與天線匹配捷克解決這個問題，而射頻-微機電系統是組成可調網絡的好選擇，它的線性和電能穩定性更好、調諧范圍也更大，獲得品質...
2009-01-16
MEMS RF前端 手機 頻段 天線 阻抗匹配
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如何為射頻電路選擇合適的電感
本文介紹了射頻電感的分類、射頻電感的技術指標和射頻電感的分類。
2009-01-06
射頻電路 RF 電感 Q值 直流電阻 自諧振頻率 振蕩電路 疊層片式電感 繞線電感 錐形電感 磁芯
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IBM研發出世界最快的石墨烯晶體管
IBM研究中心聲稱研究出世界上速度最快的石墨烯場效應晶體管，運行頻率達到26GHz。
2009-01-04
石墨烯晶體管 低噪聲放大器 射頻電路
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富士通開發出適用于功率放大器的CMOS邏輯高壓晶體管
富士通微電子(上海)有限公司近日宣布，富士通實驗室和富士通株式會社聯合開發出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無線設備的功率放大器。作為先進科技的先驅，富士通開發完成了世界上第一代基于45納米工藝的CMOS晶體管，能夠處理10V功率輸出，這使得晶體管能夠處理...
2009-01-02
CMOS 功放 WiMAX LTE 單芯片 集成PA和射頻
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電子元器件S參數的含義和用途
在進行射頻、微波等高頻電路設計時，節點電路理論已不再適用，需要采用分布參數電路的分析方法，這時可以采用復雜的場分析法，但更多地時候則采用微波網絡法來分析電路，對于微波網絡而言，最重要的參數就是S參數。在個人計算機平臺邁入 GHz階段之后，從計算機的中央處理器、顯示界面、存儲器總線到...
2008-12-19
S參數 射頻 微波 分散參數 集總電路
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BLL6H1214-500：NXP L波段雷達應用RF輸出功率器件
恩智浦半導體擴張其業界領先的RF Power 晶體管產品線，近日推出最新的針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS)晶體管，該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達500W的突破性的RF輸出功率。
2008-11-25
BLL6H1214-500 RF Power 晶體管 L波段 雷達應用 LDMOS
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Mouser宣布與Walsin公司簽訂全球分銷協議
貿澤（Mouser）電子公司近日宣布與Walsin公司簽訂全球分銷協議。
2008-11-24
RF高頻器件 天線 帶通濾波器 平衡器 平衡濾波器 共模濾波器 雙工器 MLCC EMI ESD濾波器
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