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大功率晶閘管參數解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。
2021-08-16
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IGBT驅動器的電流隔離
通常，以以下方式描述IGBT（絕緣柵雙極晶體管）：“ IGBT是場效應晶體管和雙極晶體管的組合，其中N溝道FET控制雙極晶體管”。盡管這句話很好地描述了基礎知識，但在高功率范圍的IGBT應用中，IGBT控制電路的復雜性實際上要比控制小MOSFET時要高得多。
2021-08-13
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非隔離型柵極驅動器與功率元器件
ROHM不僅提供電機驅動器IC，還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器，再介紹ROHM超級結MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
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瑞能半導體憑碳化硅器件躋身行業前列 聚焦新賽道持續研發穩固核心競爭力
近日，瑞能半導體CEO Markus Mosen（以下簡稱Markus）的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導體全球市場總監Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內保持的相當規模的成長，并取得的驕人成績；結合瑞能半導體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產品，明確了在碳化硅器件行業內的領先地位；在分享后續發展策略的同時，強調了瑞能半導體未來的產品規劃，會從傳統消費市場擴展到工業和汽車領域應用布局，更加著眼在消費電子、可再生能源、大數據和汽車電子領域，以及針對與國內外眾多知名客戶的合作內容和解決方案展開了交流。
2021-08-04
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如何提高汽車芯片進化電池管理系統的可靠性？
新能源汽車最核心和最貴的兩個器件是 IGBT 和電芯，圍繞這兩個器件其實在三電系統檢測和保護中芯片起到了很大的作用，隨著汽車內電壓從 12V、48V、200V+、400V+最后到 800V，監測和保護的芯片電路的功能重要性也越來越重要。當然這部分成本在 BMS、逆變器里面也占了不小的成本比例。
2021-08-03
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探索高壓輸電——第2部分：電壓源換流器
VSC目前已成為首選實施對象，原因如下：VSC具有較低的系統成本，因為它們的配站比較簡單。VSC實現了電流的雙向流動，更易于反轉功率流方向。VSC可以控制AC側的有功和無功功率。VSC不像LCC那樣依賴于AC網絡，因此它們可以向無源負載供電并具有黑啟動能力。使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）閥，則無需進行晶閘管所需的換流操作，并可實現雙向電流流動。
2021-07-08
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用NTC為功率模塊做溫控效果如何？
溫度控制是 MOSFET 或 IGBT 功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些 MOSFET 配有內部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監控溫度。半導體硅 PTC 熱敏電阻可以很好進行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結裸片，NTC 熱敏電阻仍是靈敏度優異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設計得當，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關斷模塊。
2021-07-04
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什么是柵極－源極電壓產生的浪涌？
MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增，它的工作速度非常快，以至于開關時的電壓和電流的變化已經無法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電壓和電流發生變化時，可能會發生意想不到的正浪涌或負浪涌，需要對此采取對策。
2021-06-10
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如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應
本文主要介紹了由于米勒電容器引起的寄生導通效應，以及如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應。在操作IGBT時面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅動器（單電源驅動器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-19
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瑞能半導體將攜IGBT和碳化硅等功率器件新品亮相2021慕尼黑上海電子展覽會
中國上海 - 2021年4月7日 — 2021慕尼黑上海電子展覽會即將于4月14日至16日在上海新國際博覽中心舉辦。慕尼黑上海電子展作為電子行業展覽，是行業內重要的盛事。本屆慕尼黑上海電子展覽會將匯聚近千家國內外優質電子企業，涵蓋從產品設計到應用落地的上下游產業，展示內容包括了半導體、傳感器、物聯網技術、汽車電子及測試等。
2021-04-08
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IGBT雙脈沖測試詳解
電源設備硬件主功率部分的電路性能直接影響產品品質，但開發過程中，在樣機測試階段才能對其性能進行評測。有些公司為保證產品開發進度，僅采取不得已的補救措施，產品不僅非最優設計，甚至會給產品的質量埋下隱患。而我司在產品設計初期就采用IGBT雙脈沖測試，提前對硬件電路設計進行多維度測試評估，在保證產品是最優設計的基礎上，提高產品開發效率。
2021-02-07
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使用 IGBT模塊簡化電機驅動裝置和逆變器的設計
電機和逆變器的使用在工業自動化、機器人、電動汽車、太陽能、白色家電和電動工具等應用中日漸增長。隨著這種增長是對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設計的需求。雖然使用分立式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 設計定制電機和逆變器功率電子器件以滿足特定要求很有誘惑力，但從長遠來看，這樣做的成本很高，而且會延誤設計進度。
2020-12-28
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