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提高晶閘管dV/dt耐受性的設(shè)計(jì)訣竅，你知道嗎？
晶閘管(SCR)是一種半導(dǎo)體開關(guān)器件。早在1956年，Moll等人就發(fā)表了這種開關(guān)器件的理論基礎(chǔ)。盡管低功率器件在當(dāng)代開關(guān)領(lǐng)域已基本銷聲匿跡，并被高壓雙極結(jié)型晶體管(BJT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等所取代，但它們?cè)谡淄呒?jí)開關(guān)器件領(lǐng)域仍無(wú)可替代，例如2kA、1.2kV的SCR就被應(yīng)用于機(jī)車驅(qū)動(dòng)器中，或用來(lái)控制鋁材生產(chǎn)廠中的電爐等。
2015-12-07
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飛一般的速度，帶你體驗(yàn)全球最快的功率開關(guān)
穩(wěn)壓器和DC-DC電源內(nèi)的硅功率器件不久將會(huì)被GaN FET代替。與硅MOSFET相比，其開關(guān)速度要快得多，且RDS(on)更低。這將能增強(qiáng)電源的電源效率，為大家?guī)?lái)益處。如果您正在設(shè)計(jì)帶有GaN器件的電源電路，您需要掌握該器件的開關(guān)速度。為測(cè)量這一速度，示波器、探頭和互連的速度必須足夠快，以盡量減少其對(duì)測(cè)量產(chǎn)生的影響。
2015-11-24
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嵌入式設(shè)計(jì)必讀：電路設(shè)計(jì)之三極管基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)寶典
在嵌入式電路中經(jīng)常使用IO口來(lái)控制某些電路的開關(guān)功能，此時(shí)可把三極管用作開關(guān)器件。在使用時(shí)需要利用開關(guān)三極管如9014和9015等小功率器件，此時(shí)的三極管處于飽和狀態(tài)。本文用實(shí)例來(lái)說(shuō)明該類電路的特點(diǎn)。
2015-09-09
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三星CSP封裝工藝日趨完善 推出3款倒裝芯片新品
近日，三星電子在廣州國(guó)際照明展會(huì)上展出3款倒裝芯片新品。其中包括：大功率器件LM301A、倒裝COB、第二代CSPLED。三星表示，第二代CSPLED器件可降低熱阻，三星電子將參加9日至12日在中國(guó)廣州舉行的國(guó)際照明博覽會(huì)，公開主要技術(shù)戰(zhàn)略及新產(chǎn)品。三星參加這次中國(guó)廣州展覽會(huì)的意義非凡，因?yàn)橹袊?guó)市場(chǎng)作為全球照明市場(chǎng)的橋頭堡，隨著LED照明需求的增加，飛速增長(zhǎng)。
2015-06-11
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【原創(chuàng)】盤點(diǎn)感應(yīng)加熱電源的基礎(chǔ)知識(shí)
感應(yīng)加熱電源憑借著可局部加熱、操作簡(jiǎn)單、加熱速度快的優(yōu)勢(shì)占據(jù)市場(chǎng)，在功率器件方面很多感應(yīng)加熱電源已采用IGBT，性能方面大幅度提升，但感應(yīng)加熱電源仍存在一些問(wèn)題，本文就來(lái)介紹感應(yīng)加熱電源的性能問(wèn)題以及獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)。
2015-06-05
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專家精講：功率器件氮化鎵的發(fā)展趨勢(shì)及應(yīng)用
工程師福音，全新領(lǐng)域的功率器件氮化鎵，電阻方面可實(shí)現(xiàn)更高的輸出電流，并且不會(huì)增加元件的數(shù)量、成本及復(fù)雜性并降低功率密度，是不是很炫？到底是如何實(shí)現(xiàn)的，將來(lái)如何發(fā)展？看本文詳解！
2015-05-29
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GaN功率器件價(jià)格向MOSFET看齊，在哪些領(lǐng)域能夠替代？
現(xiàn)如今，部分GaN功率器件逐漸向MOSFET功率管看齊，怎么做到這一點(diǎn)的？但是GaN功率器件在業(yè)界內(nèi)經(jīng)常取代MOSFET功率器件，那么在哪些應(yīng)用領(lǐng)域能夠取代。
2015-05-12
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大功率LED芯片制造技巧，只需五點(diǎn)輕松搞定
要想獲得大功率器件，一個(gè)大功率大LED面板芯片是少不了的。然而大功率的LED芯片制造并不容易，小編總結(jié)了五個(gè)常用的技巧幫你攻克LED大功率芯片的制造難題。
2015-04-24
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百科全書大講壇：細(xì)說(shuō)SSR固態(tài)繼電器的二三事
固態(tài)繼電器簡(jiǎn)稱SSR，是由分立電子器件、電力電子功率器件、微電子電路器件一起構(gòu)成的無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。固態(tài)繼電器用隔離器件就實(shí)現(xiàn)了控制端與負(fù)載端的隔離。本文就SSR固態(tài)繼電器的工作原理和常見(jiàn)問(wèn)題，細(xì)說(shuō)繼電器的二三事。
2015-03-25
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全球最快的功率開關(guān)，究竟有多快？帶你一測(cè)究竟
相信再過(guò)不久，GaN FET 將會(huì)取代穩(wěn)壓器和DC-DC電源內(nèi)的硅功率器件。然而與硅MOSFET相比，開關(guān)速度相對(duì)要快上許多，且RDS（ON)更低。要想設(shè)計(jì)帶有GAN器件的電源電路，必須要掌握器件的開關(guān)速度。
2015-02-28
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電源設(shè)計(jì)成功的三步曲，不看必后悔
本文為功率器件設(shè)計(jì)提供了一個(gè)簡(jiǎn)單的三步方法，使工程師，即使不是電源專家，也可以構(gòu)建能夠提供高效率和高功率密度的復(fù)雜電源鏈。同時(shí)消除了來(lái)自設(shè)計(jì)過(guò)程的痛苦和風(fēng)險(xiǎn)，無(wú)需工程師花時(shí)間學(xué)習(xí)技術(shù)。無(wú)需特殊培訓(xùn)，工程師們就可以使用這一方法，縮短研發(fā)時(shí)間。
2014-12-04
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2014中國(guó)半導(dǎo)體功率器件高可靠性技術(shù)國(guó)際研討會(huì)即將召開
中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)分立器件分會(huì)主辦，陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、西安高新技術(shù)企業(yè)協(xié)會(huì)、 西安半導(dǎo)體功率器件測(cè)試應(yīng)用中心協(xié)辦的2014中國(guó)半導(dǎo)體功率器件高可靠性技術(shù)國(guó)際研討會(huì)將于2014年11月27、28兩日在西安舉辦。屆時(shí)，我愛(ài)方案網(wǎng)和電子元件技術(shù)網(wǎng)將作為合作媒體為您帶來(lái)最新的報(bào)道，敬請(qǐng)關(guān)注！
2014-11-12
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測(cè)芯片賦能多元高端測(cè)量場(chǎng)景
- 10MHz高頻運(yùn)行！氮矽科技發(fā)布集成驅(qū)動(dòng)GaN芯片，助力電源能效再攀新高
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