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具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。
2020-12-16
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更高能效、穩定可靠的工業驅動模塊和開箱即用的電機開發套件
功率集成模塊(PIM)被廣泛用于驅動、泵、暖通空調 (HVAC)、能源轉換等各個領域，實現對能源的調制及高效利用。安森美半導體的創新的壓鑄模PIM (TMPIM)，集成最佳的IGBT / FRD技術，采用可靠的基板和環氧樹脂壓鑄模技術，比普通的凝膠填充功率模塊提高熱循環使用壽命10倍，提高功率回環使用壽命3倍，有利于逆變器系統實現更高能效、更長的使用壽命及更高可靠性，適用于工業電機驅動、泵、風扇、熱泵、HVAC、伺服控制等多種應用。
2020-12-09
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隔離式柵極驅動器的峰值電流
當考慮使用何種柵極驅動器時，一個常見問題是：驅動器可以提供的峰值電流是多少？峰值電流是柵極驅動器數據手冊中最重要的參數之一。此指標一般被視為決定柵極驅動器驅動強度的終極因素。MOSFET/IGBT的導通、關斷時間與柵極驅動器可以提供的電流有關，但并不能說明全部問題。峰值電流一詞在業界使用非常普遍，許多柵極驅動器數據手冊的標題中包含這一術語。盡管如此，其定義還是會因器件而異。本文討論為特定應用選擇柵極驅動器時使用峰值電流作為決定性因素的問題，并比較數據手冊中一些較常見的峰值電流表示形式。本文對標題中峰值電流數值相似的柵極驅動器進行了比較，并對柵極驅動強度做了討論。
2020-12-02
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雙電壓整流電路設計，IGBT模塊適用于整流電路嗎？
不用兩個整流橋。用一個即可，把2個18伏交流接到整流橋的交流輸入端，把變壓器抽頭0伏接地線（線路板的地線），整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波，電容器2個串聯之后正極接整流橋正極+，電容器負極接整流橋負極-，2個串聯的電容器中間引出一根線接地線，也就是雙18伏交流的抽頭，這樣就可以在直流輸出端得到正負20伏的雙電源了。
2020-11-26
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GaN基電源性能的簡易測試技術
今天，大多數電源路線圖都將GaN晶體管作為一個關鍵平臺集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶體管的優點意味著工程師們正在將它們廣泛地設計到他們的系統中。然而，GaN晶體管在開關電源中的這些進步也使得表征這些電源的性能變得越來越具有挑戰性。在半橋上測量高邊VGS是診斷晶體管交叉導通的一種傳統方法，對于基于GaN的設計來說是一項艱巨的任務。典型的解決方案是使用高成本的測量設備，這并不總是產生有用的結果。本文介紹了一種利用GaN晶體管的獨特特性測量交叉導通的簡單而經濟的方法。
2020-11-03
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如何使用Fly-buck為低電壓、低功耗工業應用供電
有些工業應用中包含分支電路，需要小型電源為跨隔離邊界的噪聲敏感型電路供電。在 PLC、數據采集以及測量設備等應用中，該隔離邊界可提供抗噪功能。需要這種隔離式電源的典型分支電路包括隔離式 RS-232 和 RS-485 通信通道、線路驅動器、隔離式放大器、傳感器以及 CAN 收發器。此外，我們在其它應用中也發現了類似的電源需求，它們需要隔離式電源為 IGBT 提供柵極驅動器電源，而且在一些醫療應用中也需要隔離技術來確保安全性。
2020-09-18
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電動汽車空調的一項關鍵技術——IGBT
ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標準、且具有1200V 和650V寬耐壓范圍的IGBT產品。該系列具有更低的傳導損耗，有助于提高應用產品的效率并實現小型化，是電動壓縮機的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-08-10
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門極驅動器方案–––即插即用快速評估和測試
電力電子在當今世界無處不在：半導體的隱藏功能，可實現廣泛應用，從家電和消費品到數據處理和無線網絡，再到日趨電子化的汽車。電力電子系統以極高能效在交流和直流形式之間以及直流電壓之間轉換電力，從而使更多的電能流向最終應用。電源轉換的主要動力是開關：功率MOSFET、IGBT、寬禁帶(WBG)半導體器件、SiC MOSFET和氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。在大多數拓撲中，這些晶體管以kHz至MHz的頻率開和關。
2020-08-10
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一文掌握 GaN 器件的直接驅動配置！
在設計開關模式電源時，主要品質因數（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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新型功率開關技術和隔離式柵極驅動器不斷變化的格局
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出 現促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系 統。更高的開關頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺 寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率 開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本 文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些主要差異，以及柵 極驅動器將如何為這些差異提供支持。
2020-08-04
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如何利用IGBT技術實現反并聯二極管的正確設計？
反并聯二極管的正確設計需要考慮各種因素。其中一些與自身技術相關，其它的與應用相關。但是，正向壓降Vf 、反向恢復電荷Qrr 以及Rth與Zth散熱能力 終將構成一種三角關系。
2020-07-27
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安森美將為丹佛斯提供用于逆變器牽引模塊的大功率器件
2020年7月7日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)和丹佛斯宣布，公司將為丹佛斯硅動力(Danfoss Silicon Power)供應大功率IGBT和二極管，應用于快速增長的電動汽車市場的逆變器牽引模塊。
2020-07-07
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