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集成自舉二極管和快速過流保護的600V三相柵極驅動器加速了三相電機應用
三相電機運行需要三相逆變器，其一般組成為：6個功率晶體管（MOSFETs或IGBTs）、控制晶體管的柵極驅動器（一個或多個）、實現控制算法（速度、轉矩控制等）的控制邏輯電路（微控制器或微處理器）。
2020-06-29
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如何實現IGBT/MOSFET隔離柵極驅動電路？
IGBT 和功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件，柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的另外兩端是源極和漏極，而對于 IGBT，它們被稱為集電極和發射極。為了操作 MOSFET/IGBT，通常須將一個電壓施加于柵極。
2020-03-26
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MOS管和IGBT管到底區別在哪？該如何選擇？
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會經常出現，它們都可以作為開關元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-18
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趣味解讀IGBT模塊“續流二極管”
IGBT 模塊上有一個“續流二極管”。它有什么作用呢？答：當 PWM 波輸出的時候，它是維持電機內的電流不斷用的。
2020-03-11
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還在用硅基器件做開關電源？是時候考慮eGaN了
本文首先介紹相比基于傳統硅 (Si) MOSFET 或 IGBT 的高頻電源，基于 eGaN 開關元器件的高頻電源優勢。接著會介紹如何使用 EPC、Texas Instruments 和 Navitas Semiconductor的 eGaN 功率級來構建適用于電池充電或服務器農場等應用的 SMPS 設計。
2020-02-26
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IGBT 的工作原理是什么?
IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET 導通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT 的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
2020-02-24
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分析IGBT短路保護電路的設計
固態電源的基本任務是安全、可靠地為負載提供所需的電能。對電子設備而言，電源是其核心部件。負載除要求電源能供應高質量的輸出電壓外，還對供電系統的可靠性等提出更高的要求。
2020-02-24
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MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
從 MOSFET 技術和開關運行概述入手，詳細介紹接地參考和高側柵極驅動電路的設計流程，以及交流耦合和變壓器隔離解決方案。該報告還包含了一個特殊部分，專門介紹在同步整流器應用中 MOSFET 的柵極驅動應用的重要性。
2020-01-17
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一文解讀碳化硅功率器件的特點
功率半導體器件作為功率變換系統的核心器件，目前應用最多的仍舊是 IGBT，在很多時候還需要搭配合適的反向并聯二極管。
2020-01-08
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全面分析IGBT各種知識點
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件，其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關。
2019-12-03
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新型SiC功率模塊以之Si IGBT，在更小的封裝內提供更高的功率密度
隨著包括發電、儲能和交通運輸在內的眾多應用轉向電力驅動，需要構建更高性能的電力轉換和控制系統，推進以電力驅動的系統的未來發展。為此，對于更緊湊、更高功率密度和可高溫工作電源模塊的需求變得越來越大。
2019-11-08
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詳解隔離式柵極驅動器的重要特性
在功率電子（例如驅動技術）中，IGBT經常用作高電壓和高電流開關。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產生于開關期間。
2019-09-29
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