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Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET用于手持電子設(shè)備
SiA444DJT在2mmx2mm占位面積內(nèi)具有N溝道MOSFET當(dāng)中最低的外形；SiA429DJT是具有最低導(dǎo)通電阻且高度只有0.8mm的P溝道器件
2011-03-16
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SiR870DP/Si4190DY：Vishay推出100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET?技術(shù)，在具有4.5V電壓等級(jí)的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。此外，該器件的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積也是同類(lèi)產(chǎn)品中最佳的，該數(shù)值是衡量DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET性能的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。
2011-03-10
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PLT系列：Vishay推出增強(qiáng)型精密低TCR薄膜電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出增強(qiáng)型PLT系列精密低TCR薄膜電阻，將容差降至±0.01%。在-55℃～+125℃的溫度范圍內(nèi)，這些器件具有低至±5ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR。
2011-03-09
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104 PHL-ST：Vishay推出超長(zhǎng)使用壽命的鋁電容器用于醫(yī)療設(shè)備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列螺旋式接線柱功率鋁電容器---104 PHL-ST。該款電容器在+105℃下的使用壽命長(zhǎng)達(dá)5000小時(shí)，在+105℃下的額定紋波電流高達(dá)34.8A，提供從35mm x 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸。
2011-03-07
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SiA923EDJ：Vishay 推出最低導(dǎo)通電阻雙芯片P溝道器件用于手持設(shè)備
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-03-03
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WSMS2908：Vishay推出Power Metal Strip?儀表分流電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip?儀表分流電阻--- WSMS2908，在業(yè)內(nèi)首次采用可直接焊到PCB板上的傳感引線，無(wú)需昂貴的柔性引線。在2908尺寸的封裝內(nèi)，WSMS2908實(shí)現(xiàn)了3W功率和100 μΩ的極低阻值。
2011-02-25
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V系列：Vishay推出可滿(mǎn)足更低電壓需求的紅外接收器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為其TSOP 紅外系列接收器中的10種產(chǎn)品推出新的“V”低壓電源選項(xiàng)，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合，以滿(mǎn)足電池供電的消費(fèi)產(chǎn)品對(duì)更低工作電壓的需求。在低至2V的電源電壓和+5℃～+85℃的溫度范圍內(nèi)工作時(shí)，V系列器件始終能夠保持穩(wěn)定的靈敏度等級(jí)。
2011-02-24
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DG408：Vishay推出高可靠性模擬復(fù)用器應(yīng)用于國(guó)防領(lǐng)域
日前，長(zhǎng)期為軍工和航天客戶(hù)提供高可靠性分立IC器件的供應(yīng)商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出8通道單端模擬復(fù)用器高可靠性DG408，擴(kuò)充其按照MIL-PRF-38535規(guī)范進(jìn)行篩選的模擬開(kāi)關(guān)和復(fù)用器系列。
2011-02-18
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VSLY5850：Vishay發(fā)布具有極高輻射強(qiáng)度的紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出采用拋物線型透鏡實(shí)現(xiàn)±3°極窄半強(qiáng)角的新款850nm紅外發(fā)射器--- VSLY5850，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。基于獨(dú)特的表面發(fā)射器芯片技術(shù)，VSLY5850在100mA驅(qū)動(dòng)電流下可提供高達(dá)600mW/sr的輻射強(qiáng)度、55mW的光功率和10ns的開(kāi)關(guān)時(shí)間。
2011-02-14
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Vishay推出精密高功率薄膜貼片電阻用于醫(yī)療成像
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的寬溫范圍內(nèi)具有1.0～2.5W的高功率等級(jí)。
2011-01-28
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VBUS053CZ-HAF：Vishay推出新款USB-OTG總線端口保護(hù)陣列用于HDMI
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有低電容和低泄漏電流的新款ESD保護(hù)陣列---VBUS053CZ-HAF，能夠保護(hù)USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號(hào)的影響。在5.5V的工作范圍內(nèi)，新的VBUS053CZ-HAF可為3條線路提供USB ESD保護(hù)，在28V工作范圍內(nèi)對(duì)一條VBUS線路提供保護(hù)。
2011-01-26
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SiA427DJ：Vishay 推出P溝道器件最低導(dǎo)通電阻TrenchFET?功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET? 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-25
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