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DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭在爭什么？
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
2017-03-22
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大象關(guān)冰箱？NAND FLASH控制器磨損管理算法芯片化硬實現(xiàn)
目前，存儲領(lǐng)域包括eMMC，SATA SSD ,PCIe SSD等控制器是一個非常熱門的領(lǐng)域。通常，由于NAND FLASH易于損壞的特性，因此需要控制器做額外的工作，才能滿足商用可靠存儲的需要。本文目的提出一種可以硬實現(xiàn)的均衡磨損，壞塊管理，以及邏輯地址映射的算法，（可芯片化）。用于替代處理器的軟件（FTL）實現(xiàn)，從總體上較CPU固件實現(xiàn)有較好的功耗比和高速性能的目標。
2016-02-25
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揭秘手機內(nèi)存真相：實際少于16G為何要標稱有16G內(nèi)存？
目前市面上的大容量存儲介質(zhì)分別是NAND FLASH和eMMC這兩種，這就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。這兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關(guān)系呢？為什么實際容量往往會比標示的少呢？
2016-01-19
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用圖來說話，解答Android設(shè)備處理器最大懸念：內(nèi)核越多性能越強？
日前，來自Anandtech的多位極客進行了一場關(guān)于移動芯片核心性能的大規(guī)模測試，為Android智能手機是否核心越多性能就越強這一充滿爭議的話題蓋棺定論。
2015-09-07
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閃存是什么？
閃存是什么？今天我們就一起來學習閃存的知識。本文主要講解的內(nèi)容有閃存簡介和閃存的概念和閃存的技術(shù)及特點以及決定NAND型閃存的因素有哪些和閃卡的優(yōu)點這些內(nèi)容。接下來就為大家講解相關(guān)的知識。
2013-06-29
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集成電路的發(fā)展
根據(jù)小編所了解早在1830年，科學家已于實驗室展開對半導體的研究。他們最初的研究對像是一些在加熱后電阻值會增加的元素和化合物。這些物質(zhì)有一共同點，當它們被光線照射時，會容許電流單向通過，我們可藉此控制電流的方向，稱為光電導效應。在無線電接收器中，負責偵測訊息的整流器，就是一種半導體電子儀器的例子。德國的Ferdinand Braun利用了半導體方鉛礦，一種硫化鉛化合物的整流特性，創(chuàng)制世上第一臺整流偵測器，后世俗稱為貓胡子的偵測器。基于半導體的整流特性，我們能在整流偵測器內(nèi)的金屬接觸面和半導體間建立起一電勢差，令電子在某一方向流動時為“順流而下”，反之則“逆流而上”。至此，半導體電子儀器起始面世。
2012-12-02
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NOR和NAND比較有何不同
NOR和NAND比較有何不同
2012-11-19
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三大因素促USB 3.0需求明年將明顯增長
TrendForce預期NAND Flash合約價的上漲動將持續(xù)至11月份，10月下旬合約價格仍上漲了7-12%,但11月過后的價格走勢面臨較大的下滑壓力。同時受三大因為影響USB 3.0市場將自明年開始加溫。
2012-11-01
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NAND閃存單元結(jié)構(gòu)
NAND閃存單元結(jié)構(gòu)
2012-10-31
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美光在NAND閃存市場的份額首次超過20%
在NAND閃存市場，三星是絕對的老大，所占市場份額趨近一半。由于營業(yè)收入增長，使得排名第三的美光縮小與第二名東芝之間的差距，份額首次突破20%大關(guān)。在第三季，東芝有可能陷入反復下降的狀態(tài)，而美光第二季度取得的勝利仍有待檢驗。
2012-09-21
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蘋果A6與A7處理器代工將花落誰家？
蘋果三星專利大戰(zhàn)已經(jīng)結(jié)束，但硝煙卻遲遲沒有散去，除了三星需賠付高額美金外，蘋果已經(jīng)確定降低各領(lǐng)域采購三星零組件比例。在面板、NAND Flash、行動式記憶體等領(lǐng)域，三星在蘋果供應鏈比重已呈下降趨勢，A6與A7可能是蘋果在行動運算裝置最后一個去三星化的關(guān)鍵零組件，它將花落誰家呢？
2012-09-10
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未來四年全球芯片市場的CAGR可達8%，NAND增速最高
市場調(diào)研公司ICInsights近日發(fā)布報告稱，2011年至2016年期間全球芯片市場的復合年均增長率（CAGR）可達8%，其中NAND閃存芯片市場增速最高，將達到16.6%。
2012-08-17
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